HBM4 將 Base Die 轉向邏輯製程並追求 16 層以上堆疊，首要挑戰在於 775 微米的總高度限制。傳統微凸塊因間距與厚度瓶頸，難以支撐更高層數，使「混合鍵合」（Hybrid Bonding）成為關鍵。然而，該技術目前面臨良率偏低、銅對銅接合精度要求極高及散熱管理等難題。此外，隨邏輯與記憶體製程異質整合，記憶體廠與晶圓代工廠（如台積電）的協作深度將決定量產時程，如何在維持高頻寬的同時克服熱阻與成本壓力，將是封裝技術能否跨入 20 層以上的勝負手。
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