長江存儲憑藉 270 層及更先進的 294 層技術，已具備切入 AI 供應鏈的實力。其高位元密度與高速介面能滿足 AI 伺服器對大容量儲存的需求。更關鍵的是，長江存儲正利用 TSV 技術研發 HBM，並規劃跨足 DRAM 領域，意圖填補中國 AI 晶片在受美禁令下的記憶體缺口。儘管面臨設備限制，但透過武漢三廠加速擴產與高達 45% 的設備國產化率，長江存儲正從 NAND 追隨者轉型為 AI 存儲領域不可忽視的關鍵玩家。
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